中國工程院院士：我國半導體產(chǎn)業(yè)還相對比較落后，稍不小心就會拉大差距
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5 月 29 日消息，在北京（國際）第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展論壇上，中國工程院院士、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇談到，總體而言我國半導體產(chǎn)業(yè)還相對比較落后，盡管我們已經(jīng)具有能力設計高端半導體芯片，但是整體技術差距還很大，而且近來由于國外發(fā)達國家的半導體布局，如果稍不小心，我們很可能繼續(xù)拉大這一差距。
干勇指出，近年世界主要經(jīng)濟體不斷加大在半導體領域的投入，國際半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢競爭將會越來越激烈。比如，美國在 5 月 22 號宣布在加州投入 40 億美元，建立一個大的半導體中心，成為世界最大的半導體基地；5 月 20 號英國政府也宣布，將每年投入一億英鎊，十年之內集中研究開發(fā)設計知識產(chǎn)權尖端的復合半導體。
干勇強調，隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向極限，同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，第三代半導體新材料快速崛起。
此外，基于第三代半導體材料和器件將引領高端電力裝備的顛覆性創(chuàng)新應用，推動傳統(tǒng)電網(wǎng)向半導體電網(wǎng)發(fā)展。其中，5G 基站、數(shù)據(jù)中心等新型用電設施的大規(guī)模建設運行，能耗問題已成為主要瓶頸，發(fā)展基于第三代半導體材料的高效電能轉換技術刻不容緩。
他認為，未來半導體發(fā)展的兩個方向，一個是半導體器件高密度集成和半導體器件的小型化，總體而言我國半導體產(chǎn)業(yè)還相對比較落后，盡管我們已經(jīng)具有能力設計高端半導體芯片，但是整體技術差距還很大，而且近來由于國外總體的，特別發(fā)達國家的半導體布局，如果稍不小心，我們很可能繼續(xù)拉大這一差距。國外加緊布局，中國半導體也必須開始作為頂層的整合資源式的、集中行動的建立大平臺，培育大產(chǎn)業(yè)，如果不加緊布局，未來中國半導體技術與國外差距將進一步拉大。
干勇建議，第三代半導體為代表的化合物半導體在滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等新需求的快速發(fā)展中，在全球信息化發(fā)展和可持續(xù)電極化轉型中，我們能夠起到一個至關重要的支撐作用，所以我們必須把它作為突破口，這是我國重構全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭格局的重要窗口。
另外，半導體產(chǎn)業(yè)的全球化屬性是不可改變的，創(chuàng)新對半導體行業(yè)尤為重要，加強技術研究和原始創(chuàng)新，實現(xiàn)關鍵核心技術突破，以創(chuàng)新驅動帶動產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展，同時加強全球產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的協(xié)作。
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