每日速訊：GaN 主導(dǎo)權(quán)之爭白熱化，美商 EPC 起訴國產(chǎn)龍頭英諾賽科
2023-05-27 13:29:58|
來源：IT之家 作者：
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IT之家 5 月 27 日消息，美國 GaN 技術(shù)廠商 EPC 近日向加州地區(qū)法院和 ITC 提起訴訟，聲稱國產(chǎn) GaN 芯片龍頭英諾賽科侵犯了 EPC 的 4 項專利，并尋求禁售與侵權(quán)賠償。
IT之家在起訴書中看到，EPC 將矛頭對準(zhǔn)了兩名曾在該公司任職的高管。EPC 認(rèn)為，其首席技術(shù)官和銷售總監(jiān)加入英諾賽科后不久，英諾賽科便推出了與 EPC 關(guān)鍵性能指標(biāo)幾乎相同的產(chǎn)品。此外，英諾賽科還展開了進(jìn)攻性的營銷活動，積極向 EPC 公司的客戶推銷其產(chǎn)品。
EPC 要求獲得侵權(quán)賠償，并希望能夠禁止英諾賽科公司在美國銷售涉及侵權(quán)的氮化鎵產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出，若 EPC 最終勝訴，英諾賽科等 GaN 企業(yè)進(jìn)軍國際市場的策略將不得不做出改變。
英諾賽科成立于 2015 年 12 月，是一家總部位于珠海的 GaN 類器件制造商，產(chǎn)品包括高低壓 GaN 電源 IC、功率半導(dǎo)體等，其擁有全球最大的 8 英寸硅基 GaN 晶圓的生產(chǎn)基地。
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