消息稱三星電子、SK 海力士等減產(chǎn) NAND 閃存將“倒逼行業(yè)明年迎來(lái)漲價(jià)”
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IT之家 8 月 23 日消息，近來(lái) NAND 閃存客戶需求低迷，IT之家早前曾報(bào)道，三星電子此前計(jì)劃停止其位于韓國(guó)平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備，并暫停存儲(chǔ)芯片第六代 V-NAND 成熟型制程報(bào)價(jià)。
此前據(jù)外媒 BusinessKorea 報(bào)道，在市場(chǎng)需求未明顯好轉(zhuǎn)的情況下，三星電子和 SK 海力士正面臨不小的壓力，庫(kù)存依舊處在高位，下半年考慮將繼續(xù)減產(chǎn)。
而據(jù)外媒引用供應(yīng)鏈消息表示，今年第三季度 DRAM 芯片的平均價(jià)格將延續(xù)下跌態(tài)勢(shì)，環(huán)比跌幅 5%，超出此前預(yù)期的 3%。
外媒稱，存儲(chǔ)行業(yè)人士表示，芯片制造商的存儲(chǔ)芯片庫(kù)存下跌速度，沒(méi)有他預(yù)料的那么快，庫(kù)存過(guò)剩問(wèn)題可能延續(xù)至 2024 年上半年，目前第四季度交貨價(jià)格比預(yù)期要差。
而當(dāng)下產(chǎn)業(yè)預(yù)估的情況是“存儲(chǔ)芯片價(jià)格明年年初會(huì)上漲”，不過(guò)外媒表示，若價(jià)格跌勢(shì)未能按預(yù)期扭轉(zhuǎn)，相關(guān)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品“漲價(jià)的時(shí)間點(diǎn)將不可避免地延后”。
據(jù)悉，三星電子負(fù)責(zé)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案部門(mén)的庫(kù)存，在上半年結(jié)束時(shí)已增至 33.69 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1836.1 億元人民幣），高于去年年底時(shí)的 29.06 萬(wàn)億韓元。SK 海力士在上半年結(jié)束時(shí)的庫(kù)存為 16.42 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約 894.89 億元人民幣），較去年年底也增加了 5%。
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