環(huán)球微資訊！這個關鍵領域又添喜訊！8英寸SiC研發(fā)新突破 中國6英寸SiC量產 汽車缺芯或緩解
晶盛機電周末通過其微信公眾號透露，公司成功研發(fā)了8英寸導電型SiC(碳化硅)晶體，晶盛第三代半導體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時代。消息披露后，晶盛機電8月15日開盤后股價持續(xù)走高，收盤漲幅12%。
多位采訪對象告訴記者，今年以來，我國SiC行業(yè)喜訊連連，包括擴建廠房、接大訂單、尺寸越做越大……汽車等下游用戶缺芯問題或能緩解。
8英寸SiC研發(fā)新突破
(資料圖)
晶盛機電透露，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，厚度25mm，直徑214mm，是大尺寸的重大突破。此次不但成功解決了8英寸SiC晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題，同時還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛應用打下基礎。
消息發(fā)布后，8月15日，晶盛機電股價大漲。
SiC具有“高硬度、高脆性、低斷裂韌性”特性，晶體生長過程中很容易發(fā)生開裂等問題。相關設備供應商邑文科技副總經理葉國光接受上證報采訪時表示，“晶盛機電能成功研發(fā)8英寸SiC晶體，是一個很大突破?！?/p>
民生證券機械行業(yè)首席分析師李哲接受采訪時表示，SiC晶體生長是采用升華法，制造效率、尺寸瓶頸明顯。晶盛機電研發(fā)出8寸片，表明其制造工藝水平已到國內先進水平。
SiC器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、轉化效率高、體積小和重量輕等優(yōu)點，其中導電型SiC一般用于做電力電子器件，被廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、光伏、5G通訊等領域。
來源：晶盛機電官網
晶盛機電證券部門人士透露，目前該項技術是實驗室階段的研發(fā)成果，到量產還有很長的一個過程。后續(xù)會根據工藝成熟度，送樣給下游客戶試用。
邑文科技副總經理葉國光則表示，上述研究成果沒有披露關鍵的材料缺陷數據，而這一數據決定了它能做簡單器件還是高端器件，因而無法做出更深的評價。
晶盛機電主營業(yè)務是光伏和半導體領域的晶體生長及加工設備、藍寶石材料和碳化硅材料的研發(fā)、生產和銷售。公司通過自主開發(fā)的設備、熱場和工藝技術，不斷延伸產品系列。2017年，公司開始布局SiC業(yè)務，2020年建立長晶和加工中試線，做出來的SiC晶體直徑也從最初的4英寸增大到如今的8英寸。
民生證券李哲表示，晶盛機電掌握先進晶體生長工藝，已經在光伏及半導體硅片、藍寶石等領域證明了自身技術實力。它又較早地推出了SiC的6寸、8寸片，布局較為前瞻。預計未來兩年，其SiC設備及襯底、外延片有望逐步出貨，成為公司新的增長極。
中國6英寸SiC開始量產
SiC是功率器件的優(yōu)質襯底材料。隨著光伏、鋰電需求日益增長，其需求也處于高速增長期。因而各國都非常重視SiC產業(yè)的商業(yè)化。
海外方面，目前Wolfspeed已投入10億美元建新工廠，并在今年4月開始生產8英寸SiC等產品；羅姆旗下SiCrystal預計2023年左右開始量產8英寸SiC襯底；Soitec在今年3月啟動了新晶圓廠建設計劃，并在5月發(fā)布了8英寸碳化硅襯底產品。
我國8英寸SiC材料還在研發(fā)階段，尚未量產。此次晶盛機電報喜之前，爍科晶體、中科院物理所等企業(yè)和單位也成功研發(fā)了8英寸SiC單晶。
集邦咨詢化合物半導體分析師龔瑞驕表示，8英寸是降低SiC功率元件成本的重要途徑，被業(yè)界給予高度關注。目前全球不少SiC襯底廠商相繼推出了相關樣品，但僅有美國Wolfspeed一家步入量產。
民生證券李哲認為，我國SiC4/6寸片已在量產中，8寸片產業(yè)化預計仍需要時間。
我國6英寸的SiC材料已經步入量產階段。天岳先進前不久披露，2023年至2025 年，公司及公司全資子公司上海天岳半導體材料有限公司將向合同對方銷售6 英寸導電型碳化硅襯底產品，合計金額為13.93億元。該金額約為天岳先進2021年營業(yè)收入的2.8倍。這意味著中國導電型SiC襯底產業(yè)駛入快車道。汽車等下游用戶也可以吃下“定心丸”，相關產品產能供應問題或將得到緩解。
晶盛機電6英寸SiC產品也在快速量產。今年3月，公司在寧夏開工建設了一期年產40萬片6英寸以上的導電型、絕緣型SiC襯底產能。另外據透露，他們獲得了意向SiC襯底訂單，3年內將優(yōu)先向客戶提供SiC襯底合計不低于23萬片。
（文章來源：上海證券報）
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